參數(shù)資料
型號(hào)： APT1001R6BN
元件分類： JFETs
英文描述： 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： APT1001R6BN
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
TO-247AD Package Outline
050-0109
Rev
B
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
3.55 (.140)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2-Plcs.
0
8
4
12
16
20
2
1
5
10
100
1,000
10,000
100
50
0
.5
1.0
1.5
2.0
10
30
50
040
20
J
T =+150
°C
T =+25
°C
J
Crss
iss
C
oss
C
V
=500V
DS
0
20
40
60
80
100
DS
V
=200V
V
=100V
DS
I
D
= I
D
[Cont.]
APT1001R6BN
T =+25
°C
T =+150
°C
SINGLE PULSE
C
J
40
1
5
10
50 100
1000
1
10
APT1001R6BN
10
S
100
S
1mS
10mS
100mS
DC
OPERATION HERE
LIMITED BY R
(ON)
DS
.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT1001R6SLL 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT1001R6BLL 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT1001RBN-BUTT 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT901RBN-GULLWING 11 A, 900 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT1001RBN-GULLWING 11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT1001R6SFLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 R FREDFET
APT1001R6SFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT1001RAN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-3
APT1001RBLC 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VI is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs
APT1001RBN 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
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