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型號: | APT1001R1BN-GULLWING |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 10.5 A, 1000 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
封裝: | TO-247, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大小: | 160K |
代理商: | APT1001R1BN-GULLWING |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APT1001R6BFLL | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT1001R6BFLLG | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT1001R6SFLLG | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT1001R6SFLL | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT1001R6SFLL | 8 A, 1000 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT1001R1BNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-247AD |
APT1001R1BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
APT1001R1DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP |
APT1001R1HN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-258ISO |
APT1001R1HVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
*型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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