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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APM9930CK |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) |
| 中文描述： | 雙增強(qiáng)型MOS管（N溝道和P溝道） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/13頁(yè) |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | APM9930CK |
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Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Sep., 2002
www.anpec.com.tw
9
APM9930/ C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
30
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
30
Source-Drain Diode Forward Voltage
-
S
-
T
J
=150°C
T
J
=25°C
-V
SD
-Source-to-Drain Voltage (V)
Typical Characteristics ( Cont.)
P
Single Pulse Power
Time (sec)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
1.Duty Cycle, D=t1/t2
2.Per Unit Base=R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
Duty Cycle=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
SINGLE PULSE
P-Channel
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APM9932CK | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) |
| APM9932CKC-TR | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) |
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| APM9932CKC-TU | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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