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參數資料
| 型號： | APM9926CKC-TR |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N溝道增強型MOS管 |
| 文件頁數： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | APM9926CKC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.6 - Sep., 2002
www.anpec.com.tw
6
APM9926/ C
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
1
10
20
Source-Drain Diode Forward Voltage
I
S
-
T
J
=150°C
T
J
=25°C
V
SD
-Source-to-Drain Voltage (V)
Typical Characteristics
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
P
Single Pulse Power
Time (sec)
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
1.Duty Cycle, D=t1/t2
2.Per Unit Base=R
thJA
=80°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
Duty Cycle=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
SINGLE PULSE
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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