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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APM4925KC-TUL |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道增強(qiáng)型MOS管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | APM4925KC-TUL |
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R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
-I
D
- Drain Current (A)
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Gate Threshold Voltage
N
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
-
Output Characteristics
Transfer Characteristics
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
-
D
-
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0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
24
-3V
V
GS
= -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
0
4
8
12
16
20
24
12
16
20
24
28
32
36
40
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
24
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
I
DS
= -250
μΑ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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