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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APM4925KC-TU |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 中文描述： | P通道增強(qiáng)型MOS管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | APM4925KC-TU |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.4 - Dec., 2002
APM4925
www.anpec.com.tw
5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
100
Typical Characteristics
Single Pulse Power
Time (sec)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
D= 0.02
Duty Cycle = 0.5
D= 0.2
D= 0.1
D= 0.05
SINGLE PULSE
1.Duty Cycle, D=t1/t2
2.Per Unit Base=R
thJA
=50°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
4.Surface Mounted
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
P
Source-Drain Diode Forward Voltage
-V
SD
-Source-to-Drain Voltage (V )
-
S
-
Α
)
T
J
=150°C
T
J
=25°C
30
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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