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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APM4463KC-TRL |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P溝道增強(qiáng)型MOS管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | APM4463KC-TRL |
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R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
-I
D
- Drain Current (A)
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Gate Threshold Voltage
N
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
-
Output Characteristics
Transfer Characteristics
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
-
D
-
'("#$"%&
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
-2V
V
GS
= -3, -4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
I
DS
= -250
μΑ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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