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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APM4435KC-TRL |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P溝道增強(qiáng)型MOS管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 195K |
| 代理商： | APM4435KC-TRL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.2 - Jun., 2006
www.anpec.com.tw
6
APM4435K
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Drain-Source On Resistance
N
T
j
- Junction Temperature (°C)
C
-V
SD
- Source - Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward
-
S
Capacitance
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
-
G
Typical Characteristics ( Cont.)
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
R
ON
@T
j
=25
o
C: 16m
V
GS
= -10V
I
DS
= -8A
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.1
1
10
30
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
Frequency=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
D
= -15V
I
D
= -8A
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PDF描述 |
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