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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APM4427KC-TRL |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P溝道增強(qiáng)型MOS管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | APM4427KC-TRL |
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+
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(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
APM4427K
Min.
Typ.
Symbol
Parameter
Test Condition
Max.
Unit
Gate Charge Characteristics
b
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-Source Charge
Q
gd
Gate-Drain Charge
Notes:
a : Pulse test ; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b : Guaranteed by design, not subject to production testing.
12.3
16
3.5
1.1
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-4A
nC
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PDF描述 |
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