參數(shù)資料
型號： APL602B2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 49 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： B2, TMAX-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 71K
代理商： APL602B2
Crss
Coss
Ciss
OPERATIONHERE
LIMITEDBYRDS(ON)
TC=+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
100S
1mS
10mS
100mS
APL602B2-L
050-5894
Rev
E
8-2003
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Drain
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
T-MAXTM (B2) Package Outline
TO-264 (L) Package Outline
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
R
DS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
(NORMALIZED)
C,
CAPACITANCE
(pF)
V
GS
(TH),
THRESHOLD
VOLTAGE
(NORMALIZED)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
-50 -25
0
25
50
75
100
125 150
-50 -25
0
25
50
75
100
125
150
1
5
10
50
100
600
.01
.1
1
10
50
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
30,000
10,000
5,000
1,000
500
100
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
196
100
50
10
5
1
.1
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
DC Line
I
D
= 24.5A
V
GS
= 12V
相關PDF資料
PDF描述
APM9948KC-TRG 4 A, 60 V, 0.085 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
APM9948KC-TRL 4 A, 60 V, 0.085 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
APT10021JFLL 37 A, 1000 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10021JFLL 37 A, 1000 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT10025JLC 34 A, 1000 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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APL602J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:*
APL602L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:600V RDS(ON)0.125Ohms ID(cont):49Amps|Linear MOSFETs
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APL602LG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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