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參數(shù)資料
| 型號： | APL5835-27EC-TR |
| 廠商： | ANPEC ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | 固定正電壓單路輸出LDO穩(wěn)壓器 |
| 英文描述： | 2.7 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 1.45 V DROPOUT, PBCY3 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | APL5835-27EC-TR |
APL5835
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.5 - Apr., 2003
www.anpec.com.tw
10
t 25 C to Peak
tp
Ram p-up
t
L
Ram p-down
ts
Preheat
Tsm ax
Tsm in
T
L
T
P
25
Tem
p
er
at
ur
e
Tim e
Critical Zone
T
L to T P
°
Physical Specifications
Terminal Material
Solder-Plated Copper (Solder Material : 90/10 or 63/37 SnPb), 100%Sn
Lead Solderability
Meets EIA Specification RSI86-91, ANSI/J-STD-002 Category 3.
Reflow Condition (IR/Convection or VPR Reflow)
Classificatin Reflow Profiles
Sn-Pb Eutectic Assembly
Pb-Free Assembly
Profile Feature
Large Body
Small Body
Large Body
Small Body
Average ramp-up rate
(TL to TP)
3
°C/second max.
3
°C/second max.
Preheat
- Temperature Min (Tsmin)
- Temperature Mix (Tsmax)
- Time (min to max)(ts)
100
°C
150
°C
60-120 seconds
150
°C
200
°C
60-180 seconds
Tsmax to TL
- Ramp-up Rate
3
°C/second max
Tsmax to TL
- Temperature(TL)
- Time (tL)
183
°C
60-150 seconds
217
°C
60-150 seconds
Peak Temperature(Tp)
225 +0/-5
°C
240 +0/-5
°C
245 +0/-5
°C
250 +0/-5
°C
Time within 5
°C of actual Peak
Temperature(tp)
10-30 seconds
20-40 seconds
Ramp-down Rate
6
°C/second max.
6
°C/second max.
Time 25
°C to Peak Temperature
6 minutes max.
8 minutes max.
Note: All temperatures refer to topside of the package. Measured on the body surface.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APL5835DC-TU | 1.25 V-7 V ADJUSTABLE POSITIVE LDO REGULATOR, 1.45 V DROPOUT, PSSO3 |
| APM2506NU | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APM4461 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APPSA0441SURKWA | 14 SEG ALPHANUMERIC DISPLAY, HYPER RED, 10.16 mm |
| APT-DFDM-WB | FEMALE-MALE, RF STRAIGHT ADAPTER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APL6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| APL602B2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:600V RDS(ON)0.125Ohms ID(cont):49Amps|Linear MOSFETs |
| APL602B2G | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APL602J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
| APL602L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:600V RDS(ON)0.125Ohms ID(cont):49Amps|Linear MOSFETs |
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