參數(shù)資料
型號(hào)： APL501J
元件分類： JFETs
英文描述： 43 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： APL501J
DYNAMIC CHARACTERISTICS
APL501J
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance Curve. (Fig.1)
2 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%
3 See MIL-STD-750 Method 3471
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
0.3
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
SAFE OPERATING AREA CHARACTERISTICS
Test Conditions / Part Number
V
DS
= 400 V, I
DS
= 0.813A, t = 20 sec., T
C
= 60°C
Watts
050-5903
Rev
D
2-2002
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
MIN
TYP
MAX
6040
7300
1220
1710
510
770
13
26
20
40
54
81
11
20
UNIT
pF
ns
Symbol
SOA1
MIN
TYP
MAX
325
UNIT
Characteristic
Safe Operating Area
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25°C
R
G
= 0.6
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
80
60
40
20
0
80
60
40
20
0
20406080
100
0
4
8
12
16
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE2,TYPICALOUTPUTCHARACTERISTICS
FIGURE3,TYPICALOUTPUTCHARACTERISTICS
8 V
6 V
7 V
VGS=9V, 10V, 12V, 14 & 16V
5 V
8 V
6 V
7 V
5 V
9 V
VGS=10, 12, 14 & 16V
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PDF描述
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APM4472KC-TRG 12 A, 40 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
APM4472KC-TRL 12 A, 40 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
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APL502J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
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