參數(shù)資料
型號： AP9923GEO-HF
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 7000 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 96K
代理商： AP9923GEO-HF
Advanced Power
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Electronics Corp.
POWER MOSFET
▼ Low On-Resistance
BVDSS
-12V
▼ Small & Thin Package
RDS(ON)
25mΩ
▼ Capable of 1.8V Gate Drive
ID
-7A
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free
Description
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Units
VDS
V
VGS
V
ID@TA=25℃
A
ID@TA=70℃
A
IDM
A
PD@TA=25℃
W
W/℃
TSTG
℃
TJ
℃
Symbol
Value
Unit
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
3
125
℃
/W
Rthj-L
Maximum Thermal Resistance, Junction-lead
75
℃
/W
Data and specifications subject to change without notice
Storage Temperature Range
-55 to 150
Total Power Dissipation
1
Linear Derating Factor
Continuous Drain Current
3
-5.0
Pulsed Drain Current
1
-30
Gate-Source Voltage
+8
Continuous Drain Current
3
-7.0
Parameter
Rating
Drain-Source Voltage
- 12
AP9923GEO-HF
-55 to 150
Halogen-Free Product
0.01
201009294
Operating Junction Temperature Range
Thermal Data
Parameter
1
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, ultra low on-resistance and
cost-effectiveness.
S1
G1
D1
S2
G2
D2
D2
S2
G2
D1
S1
G1
TSSOP-8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9928GEM 7.3 A, 20 V, 0.023 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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AP9950GP 70 A, 70 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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參數(shù)描述
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