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參數(shù)資料
| 型號： | AP9912J |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 中文描述： | N溝道增強模式 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | AP9912J |
AP9912H/J
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
0.4
0.8
1.2
1.6
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C )
V
G
(
0
3
6
9
12
0
2
4
6
8
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
I
D
=5A
V
DS
=10V
V
DS
=13V
V
DS
=16V
10
100
1000
1
7
13
19
25
V
DS
(V)
C
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1
1.4
V
SD
(V)
I
S
(
Tj=25
o
C
Tj=150
o
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP9915GK | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9916H | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9916J | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9918H | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9918J | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP9915GK | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9915H | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9915J | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9915K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9916GH | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive |
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