參數(shù)資料
型號(hào)： AP9567GM
廠(chǎng)商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 40 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： AP9567GM
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9567GM
Q
VG
-4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
Q G , Total Gate Charge (nC)
-V
GS
,
Gate
to
S
o
u
rc
eV
oltage
(
V
)
I D = -6A
V DS = -32V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
(A)
T A =25
o C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
No
rm
a
lized
T
h
erm
a
lResp
o
n
se
(
R
thja
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=125
oC/W
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0
10
20
30
024
68
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
Drain
Current
(A)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS =-5V
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PDF描述
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