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參數資料
| 型號： | AP9563M |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | P溝道增強型功率MOSFET |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | AP9563M |
AP9563M
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
10
12
14
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
T
A
=25
o
C
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
V
G
=-3.0V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
2
4
6
8
10
12
14
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
T
A
=150
o
C
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
V
G
=-3.0V
26
30
34
38
42
46
50
3
5
7
9
11
-V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
Ω
)
I
D
=-4A
T
A
=25
℃
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
N
D
I
D
=-6A
V
G
=-10V
0
1
2
3
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
-
G
0
2
4
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
(
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
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