參數(shù)資料
型號(hào)： AP9563J
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
中文描述： P溝道增強(qiáng)型
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： AP9563J
AP9563H/J
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
-
G
V
DS
=-32V
I
D
=-12A
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
(
T
c
=25
o
C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thjc
+ T
C
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
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PDF描述
AP9564GM P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9575GI P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9575H P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9575J P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9575M P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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