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參數資料
| 型號： | AP9563H |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 中文描述： | P溝道增強型 |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | AP9563H |
AP9563H/J
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
-
G
V
DS
=-32V
I
D
=-12A
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
(
T
c
=25
o
C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
DC
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
thjc
+ T
C
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP9563J | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9564GM | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9575GI | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9575H | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9575J | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AP9563J | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9563M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9564 | 功能描述:電源排插 Rack PDU Basic 1U 20A 120V RoHS:否 制造商:Wiremold 出口數量: 浪涌能量額定值: 數據線路保護:N 電線長度:15 ft 安裝風格: 輸出電壓:120 V 電流額定值:15 A |
| AP9564GM | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9564GM_10 | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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