參數(shù)資料
型號: AP7811GM
廠商: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 11.8 A, 25 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: LEAD FREE, SOP-8
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 80K
代理商: AP7811GM
AP7811GM
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristic of
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
V DS (V)
C
(p
F)
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0
2
4
6
8
10
12
0
10
203040
5060
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rce
Voltage
(
V
)
V DS =10V
V DS =15V
V DS =20V
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V SD (V)
I
S(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
0
50
100
150
Junction Temperature (
o C )
V
GS
(t
h
)(V
)
I D =11.8A
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PDF描述
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