參數(shù)資料
型號： AP70U02GH
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： AP70U02GH
AP70U02GH
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
3/4
0
20
40
60
80
100
01
234
56
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C =175
o C
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V G =3.0V
0
30
60
90
120
150
01
234
56
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C =25
o C
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V G =3.0V
0.6
1
1.4
1.8
-50
0
50
100
150
200
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(ON)
I D =40A
V G =10V
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S(A
)
T j =25
o C
T j =175
o C
0.0
0.6
1.2
1.8
-50
0
50
100
150
200
T j , Junction Temperature (
o C )
N
o
rmalize
d
V
GS(t
h)
(V
)
5
7
9
11
13
15
24
68
10
VGS , Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(ON)
(m
Ω
)
I D =30 A
T C =25 ℃
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PDF描述
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