參數(shù)資料
型號: AP6982GM
廠商: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 30 V, 0.018 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: LEAD FREE, SOP-8
文件頁數(shù): 7/7頁
文件大小: 99K
代理商: AP6982GM
AP6982GM
Channel-2
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
Q
VG
4.5V
QGS
QGD
QG
Charge
0
10
20
30
40
02
46
8
10
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS =5V
0
4
8
12
16
0
5
10
15
20
Q G , Total Gate Charge (nC)
V
GS
,
G
a
te
to
S
o
u
rce
Voltage
(
V
)
I D =7 A
V DS =16V
V DS =20V
V DS =24V
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
C
(
p
F)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
o
rm
aliz
ed
T
h
er
m
a
lRes
pon
se
(
R
th
ja
)
PDM
t
T
0.02
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0.01
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja =135
oC/W
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(A
)
100us
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
T A =25
o C
Single Pulse
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PDF描述
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