參數(shù)資料
型號： AP40T10GR
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 40 A, 100 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-262, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： AP40T10GR
AP40T10GR
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
3
0
20
40
60
80
0
4
8
12
16
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C = 175
o C
10V
7.0V
6 .0V
5.0 V
V G = 4.5 V
20
30
40
50
2468
10
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(ON)
(m
Ω
)
I D =10 A
T C =25
o C
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-50
0
50
100
150
200
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(ON)
I D =15A
V G =10V
0
4
8
12
16
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S(A
)
T j =25
o C
T j =175
o C
0.0
0.6
1.2
1.8
-50
0
50
100
150
200
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
V
GS(t
h)
(V
)
0
25
50
75
100
125
0246
8
10
12
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
Dr
a
in
C
u
rr
e
nt
(A
)
T C =25
o C
10V
7.0V
6.0V
5.0V
V G =4.5V
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PDF描述
AP40U03GH 20 A, 30 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
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AP4232BGM-HF 7.6 A, 30 V, 0.022 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP4407GS 50 A, 30 V, 0.014 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
AP4407GP 50 A, 30 V, 0.014 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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AP411-1R-4402-1 制造商:Sensata Technologies 功能描述:AP411-1R-4402-1 /Pole # 3 /Prod Family: 0202
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