參數(shù)資料
型號： AP2310GN-HF
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 3 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： AP2310GN-HF
Electrical Characteristics@Tj=25
oC(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ. Max. Units
BVDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS=0V, ID=250uA
60
-
V
ΔBV
DSS/ΔTj
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
Reference to 25℃, ID=1mA
-
0.05
-
V/℃
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
2
VGS=10V, ID=3A
-
90
m
VGS=4.5V, ID=2A
-
120
m
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS, ID=250uA
1
-
3
V
gfs
Forward Transconductance
VDS=5V, ID=3A
-
5
-
S
IDSS
Drain-Source Leakage Current
VDS=60V, VGS=0V
-
10
uA
Drain-Source Leakage Current (Tj=70
oC) V
DS=48V ,VGS=0V
-
25
uA
IGSS
Gate-Source Leakage
VGS=+20V
-
+100
nA
Qg
Total Gate Charge
2
ID=3A
-
6
10
nC
Qgs
Gate-Source Charge
VDS=48V
-
1.6
-
nC
Qgd
Gate-Drain ("Miller") Charge
VGS=4.5V
-
3
-
nC
td(on)
Turn-on Delay Time
2
VDS=30V
-
6
-
ns
tr
Rise Time
ID=1A
-
5
-
ns
td(off)
Turn-off Delay Time
RG=3.3Ω,VGS=10V
-
16
-
ns
tf
Fall Time
RD=30Ω
-3
-
ns
Ciss
Input Capacitance
VGS=0V
-
490
780
pF
Coss
Output Capacitance
VDS=25V
-
55
-
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f=1.0MHz
-
40
-
pF
Source-Drain Diode
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ. Max. Units
VSD
Forward On Voltage
2
IS=1.2A, VGS=0V
-
1.2
V
trr
Reverse Recovery Time
2
IS=3A, VGS=0V,
-
25
-
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
dI/dt=100A/s
-
26
-
nC
Notes:
1.Pulse width limited by Max. junction temperature.
2.Pulse test
3.Surface mounted on 1 in
2 copper pad of FR4 board ; 270℃/W when mounted on min. copper pad.
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2
AP2310GN-HF
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