型號: | AP1015 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-66 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 350V五(巴西)總裁| 10A條一(c)|至66 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 84K |
代理商: | AP1015 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
AP1016 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
AP1022 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
AP1023 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
AP1052 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
AP1054 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
AP1016 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
AP1016AEN | 功能描述:IC MOTOR DRIVER 9V 16QFN 制造商:akm semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 輸出配置:半橋(4) 應用:通用,步進電機 接口:邏輯 負載類型:電感 技術:功率 MOSFET 導通電阻(典型值):270 毫歐 LS,270 毫歐 HS 電流 - 輸出/通道:1A 電流 - 峰值輸出:1.4A 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 電壓 - 負載:2 V ~ 9 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 特性:- 故障保護:超溫,UVLO 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-UFQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:16-QFN(3x3) 標準包裝:1 |
AP1017 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
AP1017AEN | 功能描述:IC H-BRIDGE DVR 1CH 12V 8SON 制造商:akm semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 輸出配置:半橋(2) 應用:通用 接口:邏輯 負載類型:電感 技術:功率 MOSFET 導通電阻(典型值):470 毫歐 LS + HS 電流 - 輸出/通道:1.56A 電流 - 峰值輸出:3.3A 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 電壓 - 負載:1.8 V ~ 12 V 工作溫度:-30°C ~ 150°C(TJ) 特性:- 故障保護:超溫,UVLO 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-UFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-SON(2x2) 標準包裝:1 |
AP1018 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 325V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |