參數(shù)資料
型號： AOU460L
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： AOU460L
AOU460
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
40
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=4.5V,20A
V
GS
=10V, 20A
10
15
20
25
30
35
40
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=20A
25°C
125°C
0
20
40
60
80
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3V
4.5V
10V
6V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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參數(shù)描述
AOU4N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOU4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOU7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOU7S65 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOV11S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA（Ta），8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 3.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-VSFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:4-DFN-EP（8x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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