參數(shù)資料
型號(hào): AOL1424
廠(chǎng)商: ALPHA
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大小: 129K
代理商: AOL1424
AOL1424
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
30
60
90
120
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
I
D
10V
4.5V
V
GS
=3.5V
6V
3V
4V
5V
0
5
10
15
20
25
30
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
-40°C
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
-40°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-60
-30
0
30
60
90
120
150
180
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=10V
I
D
=20A
V
GS
=4.5V
I
D
=20A
0
5
10
15
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=20A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOL1426 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1426L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1428 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1432 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1432L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOL1426 功能描述:MOSFET N-CH 30V 46A ULTRA SO-8 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOL1426_08 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1426L 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1428 功能描述:MOSFET N-CH 30V 49A ULTRA SO-8 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOL1428A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.4A 8SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件