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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AOL1412 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 169K |
| 代理商： | AOL1412 |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
19.6
50
1
Max
25
60
1.5
R
θ
JC
A
T
A
=70°C
21
40
Continuous Drain
Current
H
Avalanche Current
C
T
A
=25°C
I
DSM
27
A
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
240
100
50
5
3
mJ
Maximum Junction-to-Case
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±12
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
85
84
200
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
Continuous Drain
Current
B
Maximum
30
Units
T
C
=25°C
I
T
C
=100°C
W
A
P
D
°C
-55 to 175
I
D
W
AOL1412
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
=85A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 3.9m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 4.6m
(V
GS
= 4.5V)
UIS Tested
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AOL1412 uses advanced trench technology with
a monolithically integrated Schottky diode to provide
excellent R
DS(ON)
,and low gate charge. This device is
suitable for use as a low side FET in SMPS, load
switching and general purpose applications. S
tandard
Product AOL1412 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AOL1412L is a Green Product
ordering option. AOL1412 and AOL1412L are
electrically identical.
Ultra
SO-8
TM
Top View
Bottom tab
connected to
drain
Fits SOIC8
footprint !
S
G
D
D
S
G
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOL1414 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOL1414L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOL1418 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOL1418L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOL1420 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOL1413 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9A ULTRA8-SO RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOL1414 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A ULTRA SO-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOL1414_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOL1414L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOL1418 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A ULTRA SO-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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