型號(hào): | AOH2005 |
英文描述: | AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC |
中文描述: | 集成電路放大器輸出相片 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 268K |
代理商: | AOH2005 |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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AOH3254 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):675pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散(最大值):4.1W (Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):63 毫歐 @ 5A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223-4 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
AOI11S60 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
AOI1N60 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSF N CH 600V 1.3A TO251A |