參數(shù)資料
型號： AOD421
廠商： ALPHA
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transisto
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)Transisto
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： AOD421
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
23
50
6
Max
28
60
8
R
θ
JC
Junction and Storage Temperature Range
A
P
DSM
°C
2
1.33
-55 to 175
T
A
=70°C
I
D
-12.5
-8.9
-30
18.8
9.4
Pulsed Drain Current
C
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
P
D
Continuous Drain
Current
G
Maximum
-20
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±12
Gate-Source Voltage
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
Steady-State
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
W
AOD421
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -12.5 A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 75m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 95m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 145m
(V
GS
= -2.5V)
ESD Rating: 2000V HBM
General Description
The AOD421 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for load switching. It is ESD
protected.
Standard Product AOD421 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD421L
is a Green Product ordering option. AOD421 and
AOD421L are electrically identical.
D
S
G
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected
to Tab
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD434 Circular Connector; No. of Contacts:37; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:15; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:15-35 RoHS Compliant: No
AOD434L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD436 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD436L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD438 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOD421_001 功能描述:MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:620pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AOD421_08 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD422 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD422L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD423 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），70A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
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