參數(shù)資料
型號(hào)： AOD4185
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： GREEN, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 300K
代理商： AOD4185
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
15
20
41
50
RθJC
2
2.4
Maximum Junction-to-Case
D,F
TC=100°C
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A,G
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
Drain-Source Voltage
Steady-State
TA=25°C
PDSM
TC=25°C
Maximum Junction-to-Ambient
A,G
Steady-State
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
PD
-115
-42
88
V
±20
Gate-Source Voltage
TA=70°C
Power Dissipation
B
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
A
mJ
ID
Pulsed Drain Current
C
-50
-35
Continuous Drain
Current
B,H
Maximum
Units
Parameter
TC=25°C
TC=100°C
-40
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
V
°C
62.5
31
-55 to 175
W
2.5
1.6
AOD4185/AOI4185
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = -40V
ID = -50A
(VGS = -10V)
RDS(ON) < 15m (VGS = -10V)
RDS(ON) < 20m (VGS = -4.5V)
100% UIS Tested!
100% Rg Tested!
General Description
The AOD4185/AOI4185 uses advanced trench
technology to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge. With the excellent thermal resistance of the
DPAK/IPAK package, this device is well suited for high
current applications.
-RoHS Compliant
-Halogen Free*
G
D
S
G
TO-251A
IPAK
Top View
S
Bottom View
D
S
G
D
TO252
DPAK
Top View
Bottom View
G
S
D
G
S
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOI4185 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AOD472 55 A, 25 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOI403 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AOD403 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AOI472A 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AOD4185L 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):初步 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD4185L_003 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
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