參數(shù)資料
型號： AOA400L
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： AOA400L
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
82
115
55
Max
110
150
80
R
θ
JL
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
1.1
0.73
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
2.8
2.3
10
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
Continuous Drain
Current
A
Maximum
30
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±12
Gate-Source Voltage
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
AOA400
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 2.8 A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 85m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 100m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 140m
(V
GS
= 2.5V)
General Description
The AOA400 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Standard Product AOA400A400 is Pb-
free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AOA400L is a Green Product ordering option.
AOA400 and AOA400L are electrically identical.
G
D
S
S
G
D
TO-236
(SOT-23)
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Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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