參數(shù)資料
型號: AO9926A
廠商: ALPHA
元件分類: 圓形連接器
英文描述: Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:17-8 RoHS Compliant: No
中文描述: 雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 293K
代理商: AO9926A
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E
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E1
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A1
A2
SYMBOLS
0.050 BSC
0.50
1.27
0.10
0.10
5.00
4.00
6.20
0.51
0.25
1.55
5.80
0.25
0.40
1.27 BSC
0.19
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0.00
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1.45
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0.157
0.061
0.004
0.020
DIMENSIONS IN INCHES
MIN
NOM
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
NOM
MAX
MAX
SO-8 Package Data
NOTE:
1. LEAD FINISH: 150 MICROINCHES ( 3.8 um) MIN.
THICKNESS OF Tin/Lead (SOLDER) PLATED ON LEAD
2. TOLERANCE ±0.10 mm (4 mil) UNLESS OTHERWISE
SPECIFIED
3. COPLANARITY : 0.10 mm
4. DIMENSION L IS MEASURED IN GAGE PLANE
RECOMMENDED LAND PATTERN
F A Y W L C
PACKAGE MARKING DESCRIPTION
NOTE:
LOGO - AOS LOGO
9926A - PART NUMBER CODE.
F - FAB LOCATION
A - ASSEMBLY LOCATION
Y - YEAR CODE
W - WEEK CODE.
L C - ASSEMBLY LOT CODE
SO-8 PART NO. CODE
LOGO 9 9 2 6 A
UNIT: mm
ALPHA & OMEGA
SEMICONDUCTOR, INC.
Rev. A
AO9926A
PART NO.
CODE
9926A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO9926B Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO9926BL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO9926E Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO9926EL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOA400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO9926B 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO9926B_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V Dual N-Channel MOSFET
AO9926BL 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO9926BL_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.6A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 7.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000
AO9926C 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR