參數(shù)資料
型號(hào)： AO7600
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： AO7600
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-20
±8
-0.6
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Device
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Typ
360
400
300
360
400
300
Max
415
460
350
415
460
350
Units
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JL
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
t
≤
10s
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
20
±8
0.9
0.7
5
0.3
0.19
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Max n-channel
W
-0.48
-3
0.3
0.19
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
T
A
=70°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
AO7600
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 20V -20V
I
D
= 0.9A (V
GS
=4.5V) -0.6A (V
GS
=-4.5V)
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 300m
(V
GS
=4.5V) < 550m
(V
GS
=-4.5V)
< 350m
(V
GS
=2.5V) < 700m
(V
GS
=-2.5V)
< 450m
(V
GS
=1.8V) < 950m
(V
GS
=-1.8V)
General Description
The AO7600 uses advanced trench
technology MOSFETs to provide excellent
R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs may be used
to form a level shifted high side switch, an
inverter, and for a host of other
applications. Both devices are ESD
protected.
Standard Product AO7600 is
Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AO7600L is a Green
Product ordering option. AO7600 and
AO7600L are electrically identical.
n-channel
p-channel
SC-70-6
(SOT-323)
Top View
S2
D2
G2
D1
G1
S1
D1
S1
G
D2
S2
G
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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AO7800 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V .9A SC70-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO7800L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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AO8403 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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