參數(shù)資料
型號(hào): AO6604
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 196K
代理商: AO6604
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-20
±8
-2.5
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Typ
78
106
64
Max
110
150
80
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
10s
Steady-State
R
θ
JA
Junction and Storage Temperature Range
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
-55 to 150
-55 to 150
T
A
=70°C
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
20
±8
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Max n-channel
W
3.4
2.7
15
1.15
0.73
-2.0
-15
1.15
0.73
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
AO6604, AO6604L ( Green Product )
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Rev 2: Nov 2004
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 20V -20V
I
D
= 3.4A -2.5A
R
DS(ON)
< 60m
< 110m
(V
GS
= 4.5V)
< 75m
< 140m
(V
GS
= 2.5V)
< 100m
< 200m
(V
GS
= 1.8V)
General Description
The AO6604 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs form a high-speed power
inverter, suitable for a multitude of applications.
AO6604L( Green Product ) is offered in a lead-free
package.
G1
D1
S1
G2
D2
S2
n-channel
p-channel
TSOP6
Top View
G2
S2
G1
D2
S1
D1
1
2
3
6
5
4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6604L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7403 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7403L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD444 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD444L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO6604L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6604L_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.4A,2.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO6605 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6605L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6608 功能描述:MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):30V,20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.4A(Ta),3.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 3.4A,10V,75 毫歐 @ 3.3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA,1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V,10nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):235pF @ 15V,510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.25W(Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1