參數(shù)資料
型號： AO4446
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 114K
代理商： AO4446
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
33
59
16
Max
40
75
24
R
θ
JC
W
Junction and Storage Temperature Range
A
°C
3
2.1
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
A
mJ
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Maximum
30
±20
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Case
C
Steady-State
Steady-State
15
12
40
20
50
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
B
P
D
°C/W
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Power Dissipation
T
A
=25°C
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4446
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 15A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 8.5m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 14.5m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4446 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and low
gate resistance. This device is ideally suited for use
in PWM applications.
Standard Product AO4446 is
Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AO4446L is a Green Product ordering option.
AO4446 and AO4446L are electrically identical.
G
D
S
SOIC-8
G
S
S
S
D
D
D
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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