參數(shù)資料
型號： AO4433
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： GREEN, SOIC-8
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 184K
代理商： AO4433
AO4433
Symbol
Min
Typ
Max
Units
BVDSS
-30
V
-1
TJ=55°C
-5
IGSS
±10
A
VGS(th)
-1.5
-2.45
-3.5
V
ID(ON)
-50
A
11
14
TJ=125°C
15
19
13.8
18
m
25.8
36
m
gFS
20
S
VSD
-0.72
-1
V
IS
-4.2
A
Ciss
1760
2200
pF
Coss
360
pF
Crss
255
357
pF
Rg
3.2
6.4
8
Qg
30
38
nC
Qgs
7
nC
Qgd
8
nC
tD(on)
11.5
ns
tr
8
ns
tD(off)
35
ns
tf
18.5
ns
trr
24
30
ns
Qrr
16
nC
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COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
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FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge IF=-11A, dI/dt=100A/s
Drain-Source Breakdown Voltage
On state drain current
ID=-250A, VGS=0V
VGS=-10V, VDS=-5V
VGS=-20V, ID=-11A
Reverse Transfer Capacitance
IF=-11A, dI/dt=100A/s
Electrical Characteristics (TJ=25°C unless otherwise noted)
STATIC PARAMETERS
Parameter
Conditions
IDSS
A
Gate Threshold Voltage
VDS=VGS ID=-250A
VDS=-30V, VGS=0V
VDS=0V, VGS=±25V
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body leakage current
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
RDS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
m
VGS=-10V, ID=-10A
IS=-1A,VGS=0V
VDS=-5V, ID=-11A
VGS=-5V, ID=-5A
Turn-On Rise Time
Turn-Off DelayTime
VGS=-10V, VDS=-15V, RL=1.5,
RGEN=3
Gate resistance
VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Turn-Off Fall Time
SWITCHING PARAMETERS
Total Gate Charge
VGS=-10V, VDS=-15V, ID=-11A
Gate Source Charge
Maximum Body-Diode Continuous Current
Input Capacitance
Output Capacitance
Turn-On DelayTime
DYNAMIC PARAMETERS
VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz
Gate Drain Charge
A: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with
T A=25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300
s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A=25°C. The
SOA curve provides a single pulse rating.
F. The current rating is based on the t≤ 10s junction to ambient thermal resistance rating.
Rev9: Nov. 2010
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述
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