參數(shù)資料
型號(hào)： AO4419
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： LJT 55C 55#22D PIN REAR WALL
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 1278K
代理商： AO4419
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
31
63
21
Max
40
75
30
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±20
-9.7
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-30
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-8.1
-40
3
2.1
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4419
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -9.7 A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 20m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 35m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AO4419 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Standard Product AO4419 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4419L
is a Green Product ordering option. AO4419 and
AO4419L are electrically identical.
SOIC-8
Top View
G
D
S
G
S
S
S
D
D
D
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6400 LJT 55C 55#22D PIN RECP
AP9915K N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
APBA3010 Circular Connector; No. of Contacts:23; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No
APBA3010SURKMGCK 3.0X1.0mm(1104) RISGHT ANGLE BI-COLOR SMD CHIP LED
APC207 Rail to Rail Output CMOS Single Operating Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4419_003 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4419L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4420 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4420A 功能描述:MOSFET N CH 30V 13.7A SOIC 8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4420A_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
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