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參數(shù)資料
| 型號： | AO4404AL |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強型場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | AO4404AL |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
STG
Symbol
Typ
37
70
26
Max
45
100
36
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±12
8.5
7.1
60
2.8
1.8
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Drain-Source Voltage
I
D
Maximum
30
Units
T
A
=25°C
T
A
=70°C
W
A
P
D
°C
-55 to 150
AO4404A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 24m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 30m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 48m
(V
GS
= 2.5V)
General Description
The AO4404A uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. The source leads are separated to allow
a Kelvin connection to the source, which may be
used to bypass the source inductance.
Standard
Product AO4404A is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4404AL is a Green Product
electrically identical.
SOIC-8
G
S
S
S
D
D
D
D
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4404B | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4404 | Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:17-26 RoHS Compliant: No |
| AO4407A | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4407 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4407L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4404B | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AO4404B_11 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AO4404BL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 |
| AO4404BL_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 8.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:3,000 |
| AO4405 | 制造商:AOS 功能描述:MOSFET |
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