參數(shù)資料
型號： AO3416
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 6500 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： GREEN PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 411K
代理商： AO3416
AO3416
20V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS=4.5V)
6.5A
RDS(ON) (at VGS=4.5V)
< 22m
RDS(ON) (at VGS = 2.5V)
< 26m
RDS(ON) (at VGS = 1.8V)
< 34m
ESD protected
Symbol
VDS
The AO3416 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as
a load switch or in PWM applications. It is ESD
protected.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
20V
Drain-Source Voltage
20
SOT23
Top View
Bottom View
D
G
S
G
S
D
G
D
S
VDS
VGS
IDM
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJL
1.4
Maximum Junction-to-Lead
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
63
125
80
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
A
ID
6.5
5.2
30
TA=25°C
TA=70°C
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
V
±8
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
20
Parameter
Typ
Max
°C/W
RθJA
70
100
90
0.9
TA=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Power Dissipation
B
PD
TA=25°C
W
SOT23
Top View
Bottom View
D
G
S
G
S
D
G
D
S
Rev 5: July 2010
www.aosmd.com
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PDF描述
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