參數(shù)資料
型號： AM80912-085
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, SO42, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 326K
代理商： AM80912-085
1/6
October, 5 2001
AM80912-085
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
AVIONICS APPLICATIONS
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
EMITTER SITE BALLASTED
5:1 VSWR CAPABILITY
LOW THERMAL RESISTANCE
INPUT/OUTPUT MATCHING
OVERLAY GEOMETRY
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
POUT = 80 W MIN. WITH 7.27 dB GAIN
DESCRIPTION
The AM80912-085 is designed for specialized
avionics applications including JTIDS, where
power is provided under pulse formats utilizing
short pulse widths and high burst or overall duty
cycles.
The AM80912-085 is housed in a unique BIG-
PACTM Hermetic Metal/Ceramic package with
internal input/output impedance matching.
PIN CONNECTION
1
3
42
1. Collector
2. Base
3. Emitter
4. Base
SO42
hermetically sealed
ORDER CODE
AM80912-085
BRANDING
80912-085
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TCASE = 25
°C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
PDISS
Power Dissipation* (TC ≤ 100 °C)
300
W
Ic
Device Current*
8.0
A
Vcc
Collector-Supply Voltage*
40
V
Tj
Junction Temperature (Pulsed RF Operation)
250
°C
TSTG
Storage Temperature
- 65 to +200
°C
THERMAL DATA
Rth(j-c)
Junction -Case Thermal Resistance*
0.75
°C/W
* Applies only to rated RF amplifier operation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AMB830 RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
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