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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM42DL1622DT45IS |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | Am29DL16xD 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory and 2 Mbit (128 K x 16-Bit) Static RAM |
| 中文描述： | Am29DL16xD 16兆位（2米× 8位/ 1個(gè)M x 16位），3.0伏的CMOS只，同時(shí)作業(yè)快閃記憶體和2兆位（128畝× 16位），靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 59/128頁 |
| 文件大?。?/td> | 650K |
| 代理商： | AM42DL1622DT45IS |
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February 6, 2004
Am42DL16x2D
57
SRAM DATA RETENTION CHARACTERISTICS
Note:
CE1#s
≥
V
CC
– 0.2 V, CE2s
≥
V
CC
– 0.2 V (CE1#s controlled) or CE2s
≤
0.2 V (CE2s controlled), CIOs = V
SS
or V
CC
.
Figure 33.
CE1#s Controlled Data Retention Mode
Figure 34.
CE2s Controlled Data Retention Mode
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Min
Typ
Max
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
CS1#s
≥
V
CC
– 0.2 V (See Note)
V
CC
= 1.5 V, CE1#s
≥
V
CC
– 0.2 V
(See Note)
1.5
3.3
V
I
DH
Data Retention Current
0.5
2
μA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Set-Up Time
See data retention waveforms
0
ns
Recovery Time
t
RC
ns
V
DR
V
CC
2.7V
2.2V
CE1#s
GND
Data Retention Mode
CE1#s
≥
V
CC
-
0.2 V
t
SDR
t
RDR
V
CC
2.7 V
CE2s
0.4 V
GND
V
DR
Data Retention Mode
t
SDR
t
RDR
CE2s <
0.2 V
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