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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV800BT-90FI |
| 英文描述： | 8-TSSOP,AUTO,Pb/HALO FREE,NIPDAU LF 2.5V(SERIAL EE) |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 25/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV800BT-90FI |
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Am29LV040B
25
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-60R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
120
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV800BT-90SC | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29PL141DC | DIE SALE. 1.8V, 27 MIL(SERIAL EE) |
| AM29PL141DCB | 10MS, DIE, 2.7 V, 11 MILS THICKNESS(SERIAL EE) |
| AM29PL141LC | 8 ULTRA THIN MINI MAP PB/HALO FREE,NIPDA(SERIAL EE) |
| AM29PL141PC | 10MS, 8 PDIP, EXT TEMP, GREEN, 2.7V(SERIAL EE) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV800DB-70EF | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV800DB-90EC | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV800DB-90ED | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV800DB90EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV800DB-90EI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP |
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