參數(shù)資料
型號(hào)： AM29LV800BT-90EC
英文描述： x8/x16 Flash EEPROM
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁(yè)數(shù)： 23/35頁(yè)
文件大小： 744K
代理商： AM29LV800BT-90EC
Am29LV040B
23
TEST CONDITIONS
Table 6.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
3.3 V
Device
Under
Test
Figure 9.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-60R,
-70
-90,
-120
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
Figure 10.
Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29LV800BT-90EE x8/x16 Flash EEPROM
AM29LV800BT-90EI x8/x16 Flash EEPROM
AM29LV800BT-90FC x8/x16 Flash EEPROM
AM29LV800BT-90FE 8-PDIP,PB/HALO FREE, 1.8V(SERIAL EE)
AM29LV800BT-90FI 8-TSSOP,AUTO,Pb/HALO FREE,NIPDAU LF 2.5V(SERIAL EE)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29LV800DB-70EF 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48-Pin TSOP
AM29LV800DB-90EC 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP
AM29LV800DB-90ED 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP
AM29LV800DB90EI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29LV800DB-90EI 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP
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