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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV800BT-80DWC2 |
| 英文描述： | 25NS, SOIC, COM TEMP(EPLD) |
| 中文描述： | EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 29/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 744K |
| 代理商： | AM29LV800BT-80DWC2 |
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Am29LV040B
29
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-60R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
60
70
90
120
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV800BT-80DWI2 | EEPROM |
| AM29LV800BT-90DGC2 | 10MS, 8 SOIC, IND TEMP, 2.7V(SERIAL EE) |
| AM29LV800BT-90SE | WAFER SALE, 1.8V, 7 MIL(SERIAL EE) |
| AM29LV800BT-90SI | x8/x16 Flash EEPROM |
| AM29LV800BT-90WBC | 10MS, 8 SOIC, IND TEMP, GREEN, 1.8V(SERIAL EE) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV800BT-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP 制造商:Analog Devices 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| AM29LV800DB-70EF | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV800DB-90EC | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV800DB-90ED | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 90ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV800DB90EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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