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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV640MB120WHF |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit⑩ 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（4個(gè)M x 16位/八米× 8位）的MirrorBit⑩3.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 47/66頁(yè) |
| 文件大小： | 836K |
| 代理商： | AM29LV640MB120WHF |
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February1,2007 26190C8
Am29LV640MT/B
45
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Read-Only Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See
Figure 12
and
Table 15
for test specifications.
Parameter
Description
Test Setup
Speed Options
JEDEC Std.
90R
100R
100
110R
110,
120R
120
Unit
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
(Note 1)
Min
90
100
110
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE#, OE#
= V
IL
Max
90
100
110
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE# = V
IL
Max
90
100
110
120
ns
t
PACC
Page Access Time
Max
25
30
30
40
30
40
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
25
30
30
40
30
40
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
16
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High
Z
(Note 1)
Max
16
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From
Addresses, CE# or OE#,
Whichever Occurs First
Min
0
ns
t
OEH
Output Enable
Hold Time
(Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
t
OH
t
CE
Outputs
WE#
Addresses
CE#
OE#
HIGH Z
Output Valid
HIGH Z
Addresses Stable
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
Figure 14.
Read Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV640MB120WHI | 64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit⑩ 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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| AM29LV640MU90NI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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