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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV640DH120RZI |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO56 |
| 封裝： | SSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 53/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1467K |
| 代理商： | AM29LV640DH120RZI |
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Am29LV640D/Am29LV641D
September 20, 2002
PHYSICAL DIMENSIONS
LAA064
—
64-Ball Fortified Ball Grid Array (
F
BGA) 13 x 11 mm package
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29LV640DH121RFI | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control |
| Am29LV640DH121RPCE | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control |
| Am29LV640DH121RPCI | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control |
| Am29LV640DH121RWHI | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control |
| AM29LV640DH121RZI | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 2.7pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 50V; Capacitance Tolerance: +/-0.5pF; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.100" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.150" x 0.210" x 0.130"; Container: Bag; Qty per Container: 500 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV640DH90REI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 4MX16 90NS 48TSOP - Trays |
| AM29LV640DL90RZI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV640DU-90NI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29LV640DU90REI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 4MX16 90NS 48TSOP - Trays |
| AM29LV640DU-90RWHIT | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:63-BALL FINE-PITCH BALL GRID ARRAY (FBGA) 0.80 MM PITCH, 11 X 12 MM PACKAGE (FBE063) |
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