參數(shù)資料
型號(hào)： Am29LV400T-90RWACB
廠商： Advanced Micro Devices, Inc.
英文描述： 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
中文描述： 4兆位（512畝x 8-Bit/256畝x 16位），3.0伏的CMOS只引導(dǎo)扇區(qū)閃存
文件頁數(shù)： 8/40頁
文件大小： 516K
代理商： AM29LV400T-90RWACB
Am29LV400
16
PREL I M I N AR Y
Notes:
1. See Table 5 for erase command sequence.
2. See “DQ3: Sector Erase Timer” for more information.
Figure 3.
Erase Operation
START
Write Erase
Command Sequence
Data Poll
from System
Data = FFh?
No
Yes
Erasure Completed
Embedded
Erase
algorithm
in progress
20514C-7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Am29LV400T-90RWAE FEEDTHRU CAPACITOR, 470PF 4A 100VFEEDTHRU CAPACITOR, 470PF 4A 100V; Capacitance:0.47nF; Voltage rating, DC:100V; Capacitor dielectric type:Ceramic Multi-Layer; Tolerance, +:50%; Tolerance, -:20%; Temp, op. max:125(degree C); Temp,
Am29LV400T-90RWAEB 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
AM29LV400T-90RWAC Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:100pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:100V; Dielectric Characteristic:NP0; Package/Case:1206; Series:W3F; Leaded Process Compatible:Yes
AM29LV400B-90RWAC 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
Am29LV640DH90RZE 8 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29LV640DH90REI 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 4MX16 90NS 48TSOP - Trays
AM29LV640DL90RZI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29LV640DU-90NI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29LV640DU90REI 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 4MX16 90NS 48TSOP - Trays
AM29LV640DU-90RWHIT 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:63-BALL FINE-PITCH BALL GRID ARRAY (FBGA) 0.80 MM PITCH, 11 X 12 MM PACKAGE (FBE063)
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