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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29LV400B-120EC |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/40頁(yè) |
| 文件大小： | 516K |
| 代理商： | AM29LV400B-120EC |
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Am29LV400
34
P R E L IM IN A R Y
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
-90R
-100
-120
-150
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
120
150
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
50
50
50
65
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
50
50
50
65
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
50
50
50
65
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
30
30
35
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
9
μ
s
Word
Typ
11
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29LV400B-120ECB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV400B-120EE | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV400B-120EEB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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