- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366507 > Am29LV400B-100SIB (Advanced Micro Devices, Inc.) 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | Am29LV400B-100SIB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512畝x 8-Bit/256畝x 16位），3.0伏的CMOS只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 29/40頁 |
| 文件大小： | 516K |
| 代理商： | AM29LV400B-100SIB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當(dāng)前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
29
Am29LV400
P R E L I M I N A R Y
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
-90R
-100
-120
-150
JEDEC
Std.
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
50
50
50
65
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
50
50
50
65
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
50
50
50
65
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
30
30
35
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
9
μ
s
Word
Typ
11
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μ
s
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV400B-120EC | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV400B-120ECB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV400B-120EE | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV400B-120EEB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| Am29LV400T-100SIB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV400BB-120EC | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV400BB-120EI | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 120ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV400BB-120SC | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 4Mbit 512K/256K x 8bit/16bit 120ns 44-Pin SOP |
| AM29LV400BB-120WAI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120ns 48-Pin FBGA |
| AM29LV400BB-55RWAI | 制造商:Spansion 功能描述:SPZAM29LV400BB-55RWAI 4M FLASH EOL150606 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。