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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV200BT-55TEC |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 元件分類： | FLASH |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kx8Bit/128Kx16位），3.0伏的CMOS引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 39/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 716K |
| 代理商： | AM29LV200BT-55TEC |
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October 10, 2006 21521D6
Am29LV200B
37
D AT A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-55R
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
9
μs
Word
Typ
11
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV200BT-55TED | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV200BT-55TEE | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV200BT-55TEF | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV200BT-55TEI | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV200BT-55TEK | 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29LV256MH120RPGI | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 256MBIT 32MX8/16MX16 120NS 64BGA - Trays |
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